第八屆中國電子信息博覽會今天在深圳會展中心召開。長江存儲128層QLC 3D NAND閃存芯片在紫光集團展臺上亮相展出。
長江存儲展示的業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存X2-6070，獲得了本屆博覽會頒發(fā)的“中國電子信息博覽會金獎”。
本屆博覽會以“創(chuàng)新共享，開放合作”為主題，舉辦展覽、論壇等多項活動，全力推動展商及觀眾的溝通合作，帶動內(nèi)循環(huán)，打造未來發(fā)展新優(yōu)勢。
今年4月13日，紫光集團旗下長江存儲宣布最新128層QLC 3D NAND閃存在武漢光谷研發(fā)成功，這是全球首款128層QLC閃存。
目前，該閃存已通過多家知名控制器企業(yè)在固態(tài)硬盤等終端存儲產(chǎn)品上的驗證。
3D NAND即三維閃存技術(shù)。過去，人們用到的存儲芯片是平面的，相當于地面停車場，而三維閃存芯片是立體的，就像是立體停車場。同樣的“占地面積”之下，立體芯片能夠容納更多倍數(shù)據(jù)量。
盡管這顆存儲芯片不到芝麻大小，卻內(nèi)藏乾坤，擁有3665億個“細胞”——存儲單元。QLC是繼TLC后，三維閃存新的技術(shù)形態(tài)，具有大容量，高密度等特點，適合于讀密集型應(yīng)用。TLC的每個“存儲細胞”可存3bit數(shù)據(jù)，而QLC的每個“細胞”能存4bit數(shù)據(jù)。這些“存儲細胞”加起來，能讓一顆芯片的存儲容量達到驚人的1.33Tb，相當于1362Gb。
得益于“存儲細胞”的不斷擴容，以及這些“細胞”之間獨特的Xtacking架構(gòu)布局，此次先于業(yè)界發(fā)布的128層閃存芯片“X2-6070”，擁有業(yè)界最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND 閃存芯片容量。
2018年底，長江存儲第一代32層三維閃存芯片量產(chǎn)。2019年9月，首次基于Xtacking架構(gòu)的64層三維閃存芯片量產(chǎn)。隨著自主Xtacking架構(gòu)全面升級至2.0，進一步釋放了三維閃存的潛能，128層QLC閃存芯片才得以快速突破。
今年以來，長江存儲消息不斷，自宣布成功研發(fā)128層閃存產(chǎn)品之后，表示預(yù)計將在三季度推出自有品牌的SSD，二期廠房建設(shè)項目也已經(jīng)開始動工，規(guī)劃產(chǎn)能20萬片/月。
來源：武漢廣播電視臺
